[发明专利]声学滤波器与HEMT异构集成的结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201811296447.2 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109534278B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 张韵;吕宏瑞;艾玉杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了两种声学滤波器与高电子迁移率晶体管的异构集成结构及其制备方法，该发明解决的技术问题是减小了功放模块的尺寸，使系统小型化；同时，减小了传统分立封装技术中器件间连接引入的寄生电感和互感，提升了功率模块特性。 | ||
| 搜索关键词： | 声学 滤波器 hemt 集成 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种体声波滤波器与高电子迁移率晶体管异构集成的结构，包括：HEMT外延层；HEMT金属电极，其形成在所述HEMT外延层的表面；BAW滤波器，其形成在所述HEMT外延层的表面；集成电路板(215)，其集成电路板引脚(216)分别与所述体声波滤波器及所述HEMT金属电极连接。
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