[发明专利]一种降低P型GaN层电阻率的LED外延结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201811289199.9 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109449268B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 徐平 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 郑隽;吴婷 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明提供一种LED外延结构的生长方法，包括高温处理蓝宝石衬底、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层以及退火降温步骤；在生长P型GaN层时，先在900℃的NH |
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| 搜索关键词： | 一种 降低 gan 电阻率 led 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低P型GaN层电阻率的LED外延结构的生长方法，其特征在于，依次包括高温处理蓝宝石衬底、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层以及退火降温的步骤；其中生长P型GaN层的步骤包括预处理过程和升温生长过程。
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