[发明专利]微光刻掩模、确定其结构的像的边缘位置的方法及系统在审

专利信息
申请号: 201811281319.0 申请日: 2018-10-25
公开(公告)号: CN109709764A 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: D.黑尔韦格 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
主分类号: G03F1/38 分类号: G03F1/38;G03F1/42;G03F1/36;G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 出于测量微光刻掩模(1)的结构(7)的目的,一种捕获在掩模(1)上的结构的绝对位置的方法和一种确定对将要成像的结构(7)的像的位置、或限定该结构的边缘的位置的取决于结构和/或取决于照明的贡献的方法彼此组合。因此,确立与晶片的曝光相关的边缘放置误差,因此可以实质上改进掩模(1)的特征。
搜索关键词: 掩模 微光刻 边缘放置误差 边缘位置 改进掩模 绝对位置 晶片 成像 捕获 测量 曝光
【主权项】:
1.一种微光刻掩模(1),包括:1.1至少一个度量标记,包括:1.1.1至少一个锚定元件(4),所述掩模(1)上的所述至少一个锚定元件(4)的全局位置数据通过用第一测量波长(λ1)的光学方法来确定,和1.1.2至少一个测试结构(7),所述至少一个测试结构(7)包括在使用所述掩模(1)时以成像波长(λ2)处的辐射成像在晶片上的结构元件,1.2其中所述测试结构(7)的结构元件具有距所述至少一个锚定元件(4)的最大距离,所述距离不大于所述掩模(1)的侧边长的十分之一。
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