[发明专利]微光刻掩模、确定其结构的像的边缘位置的方法及系统在审
| 申请号: | 201811281319.0 | 申请日: | 2018-10-25 |
| 公开(公告)号: | CN109709764A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
| 发明(设计)人: | D.黑尔韦格 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;G03F1/42;G03F1/36;G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | 出于测量微光刻掩模(1)的结构(7)的目的,一种捕获在掩模(1)上的结构的绝对位置的方法和一种确定对将要成像的结构(7)的像的位置、或限定该结构的边缘的位置的取决于结构和/或取决于照明的贡献的方法彼此组合。因此,确立与晶片的曝光相关的边缘放置误差,因此可以实质上改进掩模(1)的特征。 | ||
| 搜索关键词: | 掩模 微光刻 边缘放置误差 边缘位置 改进掩模 绝对位置 晶片 成像 捕获 测量 曝光 | ||
【主权项】:
1.一种微光刻掩模(1),包括:1.1至少一个度量标记,包括:1.1.1至少一个锚定元件(4),所述掩模(1)上的所述至少一个锚定元件(4)的全局位置数据通过用第一测量波长(λ1)的光学方法来确定,和1.1.2至少一个测试结构(7),所述至少一个测试结构(7)包括在使用所述掩模(1)时以成像波长(λ2)处的辐射成像在晶片上的结构元件,1.2其中所述测试结构(7)的结构元件具有距所述至少一个锚定元件(4)的最大距离,所述距离不大于所述掩模(1)的侧边长的十分之一。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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