[发明专利]微光刻掩模、确定其结构的像的边缘位置的方法及系统

权利要求书

1.一种微光刻掩模(1)，包括：

1.1至少一个度量标记，包括：

1.1.1至少一个锚定元件(4)，所述掩模(1)上的所述至少一个锚定元件(4)的全局位置数据通过用第一测量波长(λ1)的光学方法来确定，和

1.1.2至少一个测试结构(7)，所述至少一个测试结构(7)包括在使用所述掩模(1)时以成像波长(λ2)处的辐射成像在晶片上的结构元件，

1.2其中所述测试结构(7)的结构元件具有距所述至少一个锚定元件(4)的最大距离，所述距离不大于所述掩模(1)的侧边长的十分之一。

2.一种包括多个掩模(1)的组，用于晶片的多次曝光，

2.1其中根据权利要求1实施所有掩模(1)，以及

2.2其中所有掩模(1)具有至少一个相同的锚定元件(4)。

3.一种方法，所述方法确定根据权利要求1的微光刻掩模(1)的结构的像的边缘位置，所述方法包括以下步骤：

3.1在至少一个第一测量步骤(2)中，确定在所述掩模(1)上的至少一个锚定元件(4)的绝对位置，

3.2在至少一个第二测量步骤(6)中，相对于所述锚定元件(4)中的一个的像的位置，确定至少一个测试结构(7)的像的相对位置，特别是限定该结构的边缘的像的相对位置，

3.2.1其中空间像方法用于相对于所述锚定元件(4)中的一个的位置确定所述至少一个测试结构(7)的像的相对位置，

3.3从所述锚定元件(4)中的至少一个的绝对位置及与其相关的所述测试结构(7)的像的相对位置，确定所述测试结构(7)的像的绝对位置。

3.4确定所述测试结构(7)的像的绝对位置与设定点位置的偏离。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在相对于所述锚定元件(4)中的至少一个的像的位置确定所述至少一个测试结构(7)的像的相对位置时，确立取决于结构的贡献。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，在确定所述测试结构(7)的像的绝对位置与设定点位置的偏离时考虑了能够通过投射曝光设备补偿的贡献。

6.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，非光化方法用于确定所述至少一个锚定元件(4)的绝对位置。

7.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，光化方法用于确定所述至少一个测试结构(7)的像的相对位置，其中特别地根据为所述掩模(1)的随后成像提供的扫描仪的成像性质来选择所述成像性质的至少一种选择。

8.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，执行多个第二测量步骤(6)，其中在各种情况下主射线方向变化。

9.一种方法，所述方法确定多个微光刻掩模(1)的重叠误差或相对边缘放置误差，所述方法包括以下步骤：

9.1提供多个掩模(1)，所述多个掩模(1)用于晶片的多次曝光，

9.2通过权利要求3至8中任一项所述的方法测量所述掩模(1)，

9.3确定在不同掩模(1)上的结构元件的相对偏离，所述不同掩模(1)上的结构元件至少在区域中具有相同的设定点位置。

10.一种执行根据权利要求3至8中任一项的方法的系统(13)，包括：

10.1第一测量设备(3)，所述第一测量设备(3)确定掩模(1)上的全局位置数据，

10.2第二测量设备(9)，所述第二测量设备(9)确定对所述边缘放置的取决于结构的贡献，

10.3数据处理装置(14)，所述数据处理装置(14)从所述全局位置数据和对所述边缘放置的所述取决于结构的贡献确立所述掩模(1)的整个表面之上的边缘放置误差的图。

11.根据权利要求10所述的系统(13)，其特征在于，所述数据处理装置(14)信号连接到所述第一测量设备(3)和/或所述第二测量设备(9)。