[发明专利]微光刻掩模、确定其结构的像的边缘位置的方法及系统

说明书

出于测量微光刻掩模(1)的结构(7)的目的，一种捕获在掩模(1)上的结构的绝对位置的方法和一种确定对将要成像的结构(7)的像的位置、或限定该结构的边缘的位置的取决于结构和/或取决于照明的贡献的方法彼此组合。因此，确立与晶片的曝光相关的边缘放置误差，因此可以实质上改进掩模(1)的特征。

相关申请的交叉应用

本专利申请要求德国专利申请DE 10 2017 219 217.8的优先权，其内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及微光刻掩模。此外，本发明涉及包括多个这种掩模的组。另外，本发明涉及确定这种掩模的结构的像的边缘位置的方法、确定多个这种掩模的结构的边缘成像中的重叠误差或误差的方法以及执行这种方法的系统。最后，本发明涉及一种制造微结构或纳米结构部件的方法，还涉及根据该方法制造的部件。此外，本发明涉及使用测量掩模结构的方法来优化光学邻近校正。

背景技术

在微光刻中，通过投射曝光设备将具有将要成像的结构的掩模(所谓的掩模母版)的结构成像在晶片上。掩模的质量的最终关联限制条件变量是在该成像期间晶片上关联结构的放置，特别是限定该结构的边缘。

发明内容

本发明的目的由改进微光刻掩模和特别是包括多个这种掩模的组构成。

该目的由以下掩模来实现，该掩模包括具有确立掩模的全局位置数据的所谓的锚定元件的至少一个标记和具有在使用掩模时成像在晶片上的结构元件的测试结构，其中测试结构的结构元件和至少一个锚定元件布置在掩模上，使得它们关于彼此的相对位置通过局部测量方法而是可确立的。特别地，锚定元件可以是测试结构的组成部分。特别地，锚定元件和测试结构可以是相同的。而且，可以使用存在于芯片设计中的结构来代替特别添加的度量标记(“裸芯中测量”)。

特别地，测试结构的结构元件具有至少一个锚定元件的最大间隔，其不大于掩模的侧边长的十分之一、特别地不大于百分之一。特别地，锚定元件和测试结构的结构元件之间的最大距离不大于1mm、特别地不大于100μm。特别地，该最大距离不大于用于成像、特别地测量和/或表征测试结构的测量系统或者测量方法的像场的直径。特别地，该测量系统是光化学测量装置，对应的方法因此称为光化学方法。这还称为空间像方法。

光化学测量装置被认为是意味着在与用于将掩模的结构成像在晶片上的曝光系统的波长相同的波长处操作的测量装置。EUV光刻的掩模的情况下，该波长的范围小于30nm、特别地在在13.5nm处。

特别地，所谓的空间像测量系统(AIMS)用作表征测试结构的系统。

对应系统从DE 10 2010 029 049 A1和DE 10 2013 212 613 A1获悉。

锚定元件特别地用作将表征测试结构的测量数据绑定到掩模的全局位置数据，该掩模的全局位置数据借助于所谓的配准方法或配准系统来确立。在这种配准测量的范围内，掩模上结构的全局放置特别地被捕获。对应的配准系统可以在掩模的整个区域之上高精度确定对应结构(特别是锚定元件)的放置。这种测量的精确度可以优于1nm，特别是优于0.5nm。特别地，实施锚定元件，使得可以以配准系统在大于100nm(例如193nm)的波长处执行测量。特别地，实施锚定元件，使得可以由一方法在适当的波长处测量掩模上它的位置，特别是相对于掩模的侧边缘或晶片曝光设备中所使用的对准标记。

根据本发明的一个方面，特别地提供了在掩模上布置锚定元件的规则的网格，特别是矩阵状网格。该网格还称为光栅。锚定元件的总体还称为锚定结构。

对应设备(配准系统)从DE 10 2007 033 814 A1和WO 2008/071 268 A1以及DE10 2014 209 455 A1中获悉。关于对应设备的更多细节方面参考这些文献。