[发明专利]一种适用于铜金属化半导体器件的薄膜结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201811271305.0 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN111105990B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;罗海辉;张鸿鑫;谭灿健;唐智慧;冯宇;丁杰 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种适用于铜金属化半导体器件的薄膜结构，包括依次设置于上层金属层和衬底之间的铜金属层、阻挡层和粘附层，所述阻挡层用于防止铜向衬底扩散，所述粘附层用于将阻挡层粘附在衬底上。本发明的另一方面还公开了一种适用于铜金属化半导体器件的薄膜结构的制备方法。本发明中的薄膜结构既能提高铜与阻挡层以及阻挡层与衬底之间的粘附性，防止器件表面金属层脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 金属化 半导体器件 薄膜 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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