[发明专利]一种同质结薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201811270516.2 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109285893A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 肖鹏;黄俊华;袁健;刘佰全;罗东向 | 申请（专利权）人： | 佛山科学技术学院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 龙栢强 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种同质结薄膜晶体管，包括源电极、漏电极和有源层，源电极、漏电极和有源层的材料均采用电阻在半导体和导体范围内可调且具有相同组成元素的氧化物材料制得的氧化物薄膜；由于它们的组成元素和制备工艺相似，因而可避免因采用组成元素不同的材料带来的交叉污染，可降低制作成本；此外，由于源、漏电极与有源层采用相同元素组成的氧化物材料，因而源、漏电极与有源层之间属同质结接触，容易形成良好的欧姆接触降低接触电阻，有利于制备高迁移率、高稳定性的薄膜晶体管器件。本发明制得的同质结薄膜晶体管具有优异的电学性能，具有较高的迁移率和稳定性，能满足驱动OLED和LCD发光单元的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电极 同质结 源层 薄膜晶体管 组成元素 氧化物材料 源电极 薄膜晶体管器件 降低接触电阻 氧化物薄膜 导体 电学性能 发光单元 高迁移率 高稳定性 交叉污染 欧姆接触 元素组成 制备工艺 迁移率 电阻 可调 制备 半导体 驱动 制作 | ||
【主权项】：
1.一种同质结薄膜晶体管，包括基板和设在基板上的栅电极和栅绝缘层，其特征在于，还包括源电极、漏电极和有源层，所述源电极、漏电极和有源层的材料为电阻在半导体和导体范围内可调的氧化物材料制得的氧化物薄膜，所述源电极和漏电极设在有源层上方或所述源电极和漏电极被有源层覆盖，所述源电极和漏电极之间互不接触。
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