[发明专利]二维拓扑绝缘体及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201811269359.3 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109411534B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 胡军;齐灿;欧阳丽颖 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 殷海霞 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种二维拓扑绝缘体，所述二维拓扑绝缘体是以Al |
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| 搜索关键词： | 二维 拓扑 绝缘体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种二维拓扑绝缘体，其特征在于，所述二维拓扑绝缘体是以Al2O3(0001)面为衬底生长的蜂窝状III‑V族化合物单层膜。
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