[发明专利]具有锗硅源漏的PMOS管的制造方法有效
| 申请号： | 201811255916.6 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109545746B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王耀增;郑印呈 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有锗硅源漏的PMOS管的制造方法，包括步骤：步骤一、提供形成有PMOS管对应的栅极结构的硅衬底，各PMOS管至少具有两种间距结构；步骤二、在各PMOS管的栅极结构两侧形成嵌入式锗硅外延层，包括分步骤：步骤21、统计所述PMOS管所具有的间距值；步骤22、对每一种间距值设计一个光罩；步骤23、依次采用对应的光罩形成对应的光刻胶图形，在对应的光刻胶图形的定义下形成和间距值相对应的栅极结构两侧的凹槽，在凹槽中填充锗硅外延层，使最后形成的各种嵌入式锗硅外延层的顶部表面位置趋于相同。本发明能改善PMOS管的间距不同对应的锗硅外延生长的负载效应，提高较大间距的PMOS管的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 锗硅源漏 pmos 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811255916.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
