[发明专利]可控硅静电保护器件

摘要

本发明提供一种可控硅静电保护器件，包括衬底、埋氧层、N阱以及P阱，在N阱内设有第一P+注入区、第一多晶硅栅、第二P+注入区以及第四N+注入区，在P阱内设有第一N+注入区、第二多晶硅栅、第二N+注入区以及第四P+注入区，第三P+注入区与第三N+注入区跨接在N阱与P阱之间的交界处，第一P+注入区与阳极相连，第一N+注入区与阴极相连，第一P+注入区、第一多晶硅栅、第二P+注入区与N阱构成PMOS管，第一N+注入区、第二多晶硅栅、第二N+注入区与P阱构成NMOS管。本发明具有低触发电压、高维持电压、结构简单、易于集成以及鲁棒性高等优点，适用于器件以及电路的静电保护。

主权项

1.一种可控硅静电保护器件，其特征在于，包括衬底、设于所述衬底内的埋氧层、设于所述埋氧层内的N阱以及P阱，在所述N阱内设有第一P+注入区、第一多晶硅栅、第二P+注入区以及第四N+注入区，在所述P阱内设有第一N+注入区、第二多晶硅栅、第二N+注入区以及第四P+注入区，第三P+注入区与第三N+注入区跨接在所述N阱与所述P阱之间的交界处，所述第一P+注入区与阳极相连，所述第一N+注入区与阴极相连，所述第一P+注入区、所述第一多晶硅栅、所述第二P+注入区与所述N阱构成PMOS管，所述第一N+注入区、所述第二多晶硅栅、所述第二N+注入区与所述P阱构成NMOS管。