[发明专利]一种掩膜版制作工艺在审
| 申请号： | 201811250051.4 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109407462A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 郑跃勇;刘斌 | 申请（专利权）人： | 宁波微迅新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/68 | 分类号： | G03F1/68 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人： | 李迎春 |
| 地址： | 315000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种掩膜版制作工艺，包括如下步骤：S1、涂胶：提供一光学高分子PC复合板材，在所述光学高分子PC复合板材表面旋涂抗反射中性密着层，在所述抗反射中性密着层上旋涂中性UV光刻胶；S2、光刻：通过光刻直写掩膜机对中性UV光刻胶进行激光曝光；S3、显影：将光刻后的光学高分子PC复合板材置于一显影槽进行浸泡显影，所述显影槽内设有显影液；S4、坚膜。本发明采用光学高分子PC复合板材来制作掩膜版相比于传统的玻璃制作，大大降低了其制作的周期。 | ||
| 搜索关键词： | 光学高分子 复合板材 掩膜版 光刻 制作工艺 抗反射 密着层 显影槽 显影 复合板材表面 玻璃制作 激光曝光 传统的 对中性 显影液 坚膜 上旋 涂胶 旋涂 掩膜 直写 制作 浸泡 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版制作工艺，其特征在于：包括如下步骤：S1、涂胶：提供一光学高分子PC复合板材，在所述光学高分子PC复合板材表面旋涂抗反射中性密着层，在所述抗反射中性密着层上旋涂中性UV光刻胶；S2、光刻：通过光刻直写掩膜机对中性UV光刻胶进行激光曝光；S3、显影：将光刻后的光学高分子PC复合板材置于一显影槽进行浸泡显影，所述显影槽内设有显影液；S4、坚膜。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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