[发明专利]一种无损伤摩擦诱导纳米加工方法在审
| 申请号： | 201811249602.5 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109437085A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 钱林茂;汪红波;余丙军;蒋淑兰;陈磊;江亮 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 610031 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无损伤摩擦诱导纳米加工方法，包括以下步骤：S1、对单晶硅样品表面进行清洗以去除表面杂质；S2、通过机械刻划加工设备利用探针在单晶硅样品表面按设定的加工参数进行扫描加工；S3、配置刻蚀溶液，并将盛有刻蚀溶液的容器放置于磁力搅拌器中水浴加热并保持恒温，调制转子转速并保持恒定；S4、将经步骤S2处理后的单晶硅样品冲洗之后，浸入到步骤S3的容器中进行刻蚀，刻蚀时间为10～30min，取出并再次分别对单晶硅样品表面进行清洗即可。该方法通过在化学刻蚀中施加外场的方法来保持刻蚀溶液的高速流动，从而及时有效地带走单晶硅表面生成的反应产物，保证单晶硅表面微/纳结构的质量，同时加快了化学刻蚀的效率且不会对纳米结构造成任何损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅样品 刻蚀溶液 单晶硅表面 化学刻蚀 纳米加工 无损伤 刻蚀 清洗 诱导 摩擦 恒定 磁力搅拌器 表面杂质 高速流动 机械刻划 加工参数 加工设备 纳米结构 容器放置 扫描加工 有效地带 转子转速 浸入 外场 探针 去除 冲洗 调制 加热 损伤 取出 施加 配置 保证 | ||
【主权项】：
1.一种无损伤摩擦诱导纳米加工方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、对单晶硅样品表面进行清洗以去除表面杂质；S2、通过机械刻划加工设备利用探针在单晶硅样品表面按设定的加工参数进行扫描加工；S3、配置刻蚀溶液，并将盛有刻蚀溶液的容器放置于磁力搅拌器中水浴加热并保持恒温，调制转子转速并保持恒定；S4、将经步骤S2处理后的单晶硅样品用去离子水冲洗之后，浸入到步骤S3的容器中进行刻蚀，刻蚀时间为10～30min，取出并再次分别对单晶硅样品表面进行清洗，获得所需单晶硅表面纳米结构。
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