[发明专利]基于Fano谐振的椭圆空气孔部分刻蚀型光子晶体传感器在审
| 申请号： | 201811244602.6 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109470652A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 田慧平;王铮;王超;孙富君;肖泽坤 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于Fano谐振的氮化硅(SiNx)材料制作的椭圆空气孔部分刻蚀型二维光子晶体传感器设计，属于光子晶体传感器技术领域。本发明在传统椭圆空气孔全刻蚀型二维光子晶体结构基础上进行结构改良从而提高传感器的性能。具体而言，将椭圆空气孔全穿透的空气孔结构调整为部分深度刻蚀的部分穿透结构，通过调整光源入射方向从与光子晶体板平行到垂直，从而实现了对品质因子以及灵敏度的提高。该光子晶体传感器的尺寸大小较为灵活，可以根据实际需要进行调整制作。而且本设计采用氮化硅作为结构材料，提高了结构强度，部分刻蚀的制作工艺也减少了刻蚀剂使用量避免污染。本发明可以用于液体环境下的折射率传感领域。 | ||
| 搜索关键词： | 空气孔 椭圆 光子晶体传感器 刻蚀型 谐振 氮化硅 刻蚀 二维光子晶体结构 二维光子晶体 传感器设计 光子晶体板 避免污染 穿透结构 传感领域 结构材料 结构调整 结构改良 品质因子 入射方向 液体环境 制作工艺 灵敏度 穿透的 传感器 刻蚀剂 折射率 光源 平行 垂直 灵活 制作 | ||
【主权项】：
1.提出一种基于Fano谐振的椭圆空气孔部分刻蚀的二维光子晶体传感器结构，其特征在于：该传感器制作材料选择为氮化硅，通过调整椭圆空气孔刻蚀深度，使得光场中心局域在空气孔孔内和附近空间。其中光子晶体板板厚160nm，空气孔的刻蚀深度为板厚的一半，即80nm。此时，在垂直平面波光源的照射下，光子晶体板内将激发出两种模式，分别为类TE模和类TM模。其中类TE模的光场中心局域在空气孔正上下方，类TM模的光场中心局域在光子晶体板的正上下方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京邮电大学，未经北京邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811244602.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
