[发明专利]半导体装置结构的形成方法在审
| 申请号： | 201811241513.6 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109841564A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈玺中;林志轩;赵家忻;邱意为;许立德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含形成第一层于第二层上方。此方法包含在第一层中形成第一凹口和第二凹口，第一凹口比第二凹口窄。此方法包含在第一凹口和第二凹口中形成第一覆盖层，在第一凹口中的第一覆盖层比在第二凹口中的第一覆盖层薄。此方法包含移除第一凹口中的第一覆盖层和覆盖第一底表面的第一覆盖层，以在第二凹口中的第一覆盖层中形成第一开口。此方法包含通过第一凹口和第一开口移除第一部分和第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 凹口 覆盖层 半导体装置结构 第一层 移除 开口 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成一第一层于一第二层上方；在该第一层中形成一第一凹口和一第二凹口，其中该第一凹口比该第二凹口窄，且该第一凹口和该第二凹口分别暴露出该第二层的一第一部分和一第二部分；在该第一凹口和该第二凹口中形成一第一覆盖层，其中在该第一凹口中的该第一覆盖层比在该第二凹口中的该第一覆盖层薄，且该第一覆盖层覆盖该第二凹口的一第一内壁和一第一底表面；移除该第一凹口中的该第一覆盖层和覆盖该第二凹口的该第一底表面的该第一覆盖层，以在该第二凹口中的该第一覆盖层中形成一第一开口；以及通过该第一凹口和该第一开口移除该第二层的该第一部分和该第二部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
