[发明专利]存储装置有效
申请号: | 201811239202.6 | 申请日: | 2018-10-23 |
公开(公告)号: | CN109754835B | 公开(公告)日: | 2023-10-10 |
发明(设计)人: | 林菜昱;罗太熙;鲜于桢;李墉焌 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种存储装置,所述存储装置包括:存储单元阵列,所述存储单元阵列包括多个存储单元,其中,所述多个存储单元中的每个存储单元包括开关元件和连接到所述开关元件的数据存储元件,其中,所述数据存储元件包括相变材料;以及存储控制器,所述存储控制器被配置为:通过将操作电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来对所述第一存储单元执行控制操作,并在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之前或之后,在所述第一存储单元中输入从所述数据存储元件流向所述开关元件的补偿电流。 | ||
搜索关键词: | 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种存储装置,所述存储装置包括:存储单元阵列,所述存储单元阵列包括多个存储单元,其中,所述多个存储单元中的每个存储单元包括开关元件和连接到所述开关元件的数据存储元件,其中,所述数据存储元件包括相变材料;以及存储控制器,所述存储控制器被配置为:通过将操作电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来对所述第一存储单元执行控制操作,并在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之前或之后,在所述第一存储单元中输入从所述数据存储元件流向所述开关元件的补偿电流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811239202.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:字线译码电路、SRAM以及形成方法
- 下一篇:非易失性存储器件