[发明专利]包括线形选择互连的半导体存储器件及包括其的电子系统在审
| 申请号： | 201811236523.0 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109728159A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 高永锡 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 王建国;李琳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了半导体存储器件和具有该半导体存储器件的电子系统。该半导体存储器件之一可以包括：在第一水平方向上平行延伸的多个第一导电互连；设置在第一导电互连上的多个选择互连，所述选择互连在第一水平方向上平行延伸；在垂直于第一水平方向的第二水平方向上平行延伸的多个第二导电互连；以及分别设置在第一导电互连与第二导电互连之间的互连区域中的多个存储单元叠层。每个存储单元叠层可以包括可变电阻元件。 | ||
| 搜索关键词： | 导电互连 半导体存储器件 平行延伸 互连 存储单元 电子系统 叠层 可变电阻元件 互连区域 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种包括半导体存储器件的电子系统，其中，所述半导体存储器件包括：多个第一导电互连，所述多个第一导电互连在第一水平方向上平行延伸；多个选择互连，所述多个选择互连设置在所述第一导电互连上，并且所述选择互连在所述第一水平方向上平行延伸；多个第二导电互连，所述多个第二导电互连在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上平行延伸；以及多个存储单元叠层，所述多个存储单元叠层分别设置在所述第一导电互连与所述第二导电互连之间的互连区域中，其中，所述存储单元叠层中的每个包括可变电阻元件。
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