[发明专利]相变存储器结构在审
| 申请号： | 201811233728.3 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110416407A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种相变存储器结构，其包含：底部电极；第一相变材料，其接触所述底部电极的顶面；第一开关，其位于所述第一相变材料上方；第二相变材料，其位于所述第一开关上方；及顶部电极，其位于所述第二相变材料上方。 | ||
| 搜索关键词： | 相变材料 相变存储器结构 底部电极 第一开关 顶部电极 顶面 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器结构，其包括：底部电极；第一相变材料，其接触所述底部电极的顶面；第一开关，其位于所述第一相变材料上方；第二相变材料，其位于所述第一开关上方；及顶部电极，其位于所述第二相变材料上方。
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