[发明专利]一种半片多晶太阳电池的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811227637.9 申请日: 2018-10-22
公开(公告)号: CN109545886B 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 朱金浩;吴国强;许布;刘义德;陈珏荣 申请(专利权)人: 浙江光隆能源科技股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;B23K26/38
代理公司: 嘉兴永航专利代理事务所(普通合伙) 33265 代理人: 俞培锋
地址: 314406 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种半片多晶太阳电池的制备方法。它解决了现有制造方法的步骤过于简单,无法保证半电池片的质量,产品质量差等技术问题。本半片多晶太阳电池的制备方法,包括如下步骤:a、对外购的硅片进行清洗和检测;b、将检验好的硅片放入碱性溶液中进行制绒;c、将石英舟放入扩散炉中进行扩散;d、将扩散好的硅片放入刻蚀机中进行刻蚀;e、将刻蚀好的硅片放入氢氟酸中浸泡;f、将石墨舟放入PECVD装置中进行镀膜;g、将镀膜好的硅片采用丝网印刷的方式进行印刷;h、将印刷好的硅片放入烧结炉中进行烧结;i、将硅片篮放到钝化处理装置中进行钝化;j、将钝化好的电池片通过激光切片机进行切割。本发明具有产品质量好的优点。
搜索关键词: 一种 多晶 太阳电池 制备 方法
【主权项】:
1.一种半片多晶太阳电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:a、对外购的硅片进行清洗和检测,去除不合格硅片;b、将检验好的硅片放入碱性溶液中进行制绒;c、将制绒好的硅片放到石英舟内,将石英舟放入扩散炉中进行扩散;d、将扩散好的硅片放入刻蚀机中进行刻蚀;e、将刻蚀好的硅片放入氢氟酸中浸泡,浸泡时间为20‑30min,去除硅片表面的磷硅玻璃;f、将浸泡好的硅片放到石墨舟内,将石墨舟放入PECVD装置中进行镀膜,使其形成三层减反射膜;g、将镀膜好的硅片采用丝网印刷的方式进行印刷;h、将印刷好的硅片放入烧结炉中进行烧结,得到电池片;i、将200‑400片的电池片同方向叠放到将硅片篮内,将硅片篮放到钝化处理装置中进行钝化;j、将钝化好的电池片通过激光切片机进行切割,使电池片一分为两,即可得到成品的半片多晶太阳电池。
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