[发明专利]基于LTCC工艺的平面三电极开关和爆炸箔集成芯片在审
申请号: | 201811222125.3 | 申请日: | 2018-10-19 |
公开(公告)号: | CN109297365A | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 朱朋;张秋;徐聪;杨智;覃新 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | F42B3/12 | 分类号: | F42B3/12;F42B3/198 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 邹伟红 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及炸药起爆技术领域,具体为一种基于LTCC工艺的平面三电极开关和爆炸箔集成芯片。芯片分为三电极开关和爆炸箔两部分,包括:基底层:基底层在开关部分作为载体,在爆炸箔部分作为反射背板;金属层:在开关部分作为阴极、阳极和触发极,在爆炸箔部分作为桥箔、过渡区,金属层还包括焊盘;置于金属层之上的结构层A:作为电极槽、飞片和焊盘槽;结构层B:置于结构层A之上,作为电极槽、加速膛和焊盘槽;结构层C:置于结构层B之上,作为电极槽、装药槽和焊盘槽。本发明利用LTCC工艺使得平面三电极开关和爆炸箔集成芯片可以一体化烧结制造,实现批量生产,提高产品的一致性,并降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 结构层 三电极开关 爆炸 集成芯片 电极槽 焊盘槽 金属层 基底层 阴极 一体化烧结 阳极 反射背板 炸药起爆 触发极 过渡区 装药槽 飞片 焊盘 芯片 制造 生产 | ||
【主权项】:
1.一种基于LTCC工艺的平面三电极开关和爆炸箔集成芯片,其特征在于,所述集成芯片分为平面三电极开关和爆炸箔起爆器两部分,具体包括:基底层(1):所述基底层(1)在平面三电极开关部分作为载体,在爆炸箔起爆器部分作为反射背板;金属层(2):在开关部分作为阴极(21)、阳极(23)和触发极(22),在爆炸箔部分作为桥箔(24)、过渡区(25),其中三电极开关的阳极(23)与桥箔(24)通过过渡区(25)相连,过渡区(25)是桥箔(24)两端由窄变宽的区域,金属层(2)还包括与开关的阴极(21)、触发极(22)和爆炸箔的过渡区(25)相连的焊盘(26);结构层A(3):置于金属层(2)之上,在开关部分作为电极槽(31),在爆炸箔部分作为飞片(32),以及暴露焊盘的焊盘槽(33);结构层B(4):置于结构层A(3)之上,在开关部分作为电极槽(41),在爆炸箔部分作为加速膛(42),和暴露焊盘的焊盘槽(43);结构层C(5):置于结构层B(4)之上,在开关部分作为电极槽(51),在爆炸箔部分作为装药槽(52),和暴露焊盘的焊盘槽(53)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学,未经南京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811222125.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。