[发明专利]一种钙钛矿吸光层薄膜、其制备方法以及使用它的太阳电池在审
申请号: | 201811210235.8 | 申请日: | 2018-10-17 |
公开(公告)号: | CN111063804A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 丁黎明;王诗哲 | 申请(专利权)人: | 国家纳米科学中心 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/56 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种钙钛矿吸光层薄膜、其制备方法以及使用它的太阳电池,所述制备方法以氢卤酸为添加剂,制备得到所述钙钛矿吸光层薄膜;该方法制备钙钛矿吸光层薄膜以氢卤酸为添加剂,大大降低了钙钛矿吸光层薄膜的制备过程中的退火温度;制备原料易得,制备工艺简单,避免了对环境有害的有机溶剂的大量使用,也避免了在高温高压或者真空条件下进行;且钙钛矿吸光层薄膜制备的太阳电池具有较好的能量转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿吸光层 薄膜 制备 方法 以及 使用 太阳电池 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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