[发明专利]一种防漏光CMOS图像传感器全局像元结构及形成方法

摘要

本发明公开了一种防漏光CMOS图像传感器全局像元结构，在传输管栅极、复位管栅极和存储节点上设置复合挡光结构，复合挡光结构包括间隔设置的第一接触孔至第三接触孔，第一接触孔的下端电连接存储节点的上表面，第二接触孔、第三接触孔的下端分别绝缘连接在传输管栅极、复位管栅极的边缘区域，并与存储节点相绝缘，第一接触孔至第三接触孔的上端共同连接后道第一层金属互连层，并与后道第一层金属互连层共同形成复合挡光结构，将存储节点上方的传输管栅极、复位管栅极与第一接触孔之间存在的漏光间隙完全遮蔽，可保证存储电容中信号的准确性，避免输出信号的失真。本发明还公开了一种防漏光CMOS图像传感器全局像元结构的形成方法。

主权项

1.一种防漏光CMOS图像传感器全局像元结构，其特征在于，包括设于衬底上的光电二极管、传输管和复位管，形成于传输管栅极和复位管栅极之间的所述衬底中的存储节点，以及一复合挡光结构；所述复合挡光结构包括间隔设置的第一接触孔至第三接触孔，所述第一接触孔的下端电连接所述存储节点的上表面，所述第二接触孔、第三接触孔的下端分别绝缘连接在所述传输管栅极、复位管栅极的边缘区域，并与所述存储节点相绝缘，所述第一接触孔至第三接触孔的上端共同连接后道第一层金属互连层，并与所述后道第一层金属互连层共同形成所述复合挡光结构，将所述存储节点上方的所述传输管栅极、复位管栅极与第一接触孔之间存在的漏光间隙完全遮蔽。