[发明专利]可变电阻存储器件有效
| 申请号： | 201811207629.8 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110021324B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 李基远;尹正赫 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C7/12;G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可变电阻存储器件，其可以包括存储单元阵列和控制电路块。存储单元阵列可以包括多个字线、多个位线和多个存储单元。存储单元阵列还可以包括连接在字线和位线之间的存储层。控制电路块可以包括读取/写入电路和位线控制电路。读取/写入电路可以被配置为向所述多个位线中的选中的位线提供读取电压或写入电压。位线控制电路可以与读取/写入电路和位线连接，以基于选中的存储单元电连接到选中的位线的位置来控制输入到选中的位线的位线电压。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种可变电阻存储器件，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个字线、多个位线和多个存储单元，每个存储单元连接在所述多个字线的字线和所述多个位线的位线之间；以及控制电路块，所述控制电路块被配置为控制所述存储单元阵列，其中，所述控制电路块包括：读取/写入电路，所述读取/写入电路被配置为向所述多个位线之中的选中的位线提供驱动电压；以及位线控制电路，所述位线控制电路电连接在所述读取/写入电路和所述多个位线之间，以基于选中的存储单元电连接到所述选中的位线的位置来控制输入到所述选中的位线的驱动电压。
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