[发明专利]一种黑硅绒面结构的制备方法有效
| 申请号： | 201811206425.2 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109285898B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李超;黄明;孟少东;汤洁;徐昆 | 申请（专利权）人： | 江西展宇新能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 李潇 |
| 地址： | 334000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种黑硅绒面结构的制备方法，本发明通过首先将经过沉银和挖孔的硅片放入硝酸和氢氟酸的混合溶液中反应，得到第一步扩孔的硅片；然后将第一步扩孔后的硅片放入双氧水与氟化铵的混合溶液中进行反应，得到第二步扩孔的硅片，最后将第二步扩孔的硅片进行碱洗，得到制绒的黑硅。其中，本发明二次扩孔时所用的双氧水与氟化铵的混合溶液中，所述双氧水的质量百分比浓度为7.5％～12.5％；所述氟化铵的质量百分比浓度为0.4％～1.1％；结果发现，得到的黑硅的绒面结构中孔洞大小几乎一致，为均匀性较好的绒面结构，且孔洞内壁微结构光滑平整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 黑硅绒面 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种黑硅绒面结构的制备方法，包括：1)将经过沉银和挖孔的硅片放入硝酸和氢氟酸的混合溶液中反应，得到第一步扩孔的硅片；2)将第一步扩孔后的硅片放入双氧水与氟化铵的混合溶液中进行反应，得到第二步扩孔的硅片，其中，所述双氧水与氟化铵的混合溶液中，所述双氧水的质量百分比浓度为7.5％～12.5％；所述氟化铵的质量百分比浓度为0.4％～1.1％；3)将第二步扩孔的硅片进行碱洗，得到制绒的黑硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西展宇新能科技有限公司，未经江西展宇新能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811206425.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
