[发明专利]一种低电压下使输出级MOS管导通的方法在审
| 申请号： | 201811201289.8 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN111064457A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 王欢 | 申请（专利权）人： | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;G01R19/165 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吴小灿 |
| 地址： | 100089 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种低电压下使输出级MOS管导通的方法，有利于电源监控芯片实现在极低的电源电压下给后级芯片以正确的电压指示，其特征在于，针对电源监控芯片中的输出级模块，通过对所述输出级模块的衬底节点进行衬底电压调节以形成MOS管背柵效应，使得所述输出级模块中的输出级MOS管的第一阈值电压降低至第二阈值电压，所述第一阈值电压指所述输出级MOS管的衬底电压没有被调节时的阈值电压，所述低电压指电源电压小于输出级MOS管的第一阈值电压，所述第二阈值电压低于所述低电压，从而在低电压下使输出级MOS管导通。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压下 输出 mos 管导通 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圣邦微电子（北京）股份有限公司，未经圣邦微电子（北京）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811201289.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
