[发明专利]一种基于电致发光计算太阳电池片局部IV性能的方法在审
| 申请号： | 201811199879.1 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109522598A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 潘武淳;王磊;张深;李铭章;崔世博;张臻 | 申请（专利权）人： | 河海大学常州校区 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林;张赏 |
| 地址： | 213022 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于电致发光计算太阳电池片局部IV性能的方法，通过在标准晶体硅太阳电池片电池上施加两组不同的外加偏压，得到相应的电致发光图像，然后计算得到校准系数，局部光生电流，局部串、并联电阻以及局部理想因子，最后根据单二极管等效电路模型，得到电池片局部IV曲线。本发明通过利用电致发光测试方法可以快速的计算出电池片的五个局部性能参数得到局部IV曲线，可以在对电池片的无损害的情况下，能够判断电池片产生光生载流子的能力，判断电池片局部IV性能，提高电池的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 电池片 电致发光 太阳电池片 电池 等效电路模型 硅太阳电池片 光生载流子 标准晶体 并联电阻 单二极管 光生电流 理想因子 校准系数 性能参数 两组 施加 图像 测试 损害 | ||
【主权项】：
1.一种基于电致发光计算太阳电池片局部IV性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)选择一片标准晶体硅太阳电池片；2)启动便捷式EL测试仪，对所选择的晶体硅太阳电池片施加一个电压Ul，得到该晶体硅太阳电池片的电致发光图像；计算得到该晶体硅太阳电池片在该外加电压下的局部电致发光强度IEL(l)i，i为位置索引；3)对所选择的晶体硅太阳电池片施加第二个电压Uh，得到该晶体硅太阳电池片的电致发光图像，计算得到该晶体硅太阳电池片在该外加电压下的局部电致发光强度IEL(h)i，i为位置索引；4)计算晶体硅太阳电池片的局部理想因子ni；5)计算晶体硅太阳电池片的局部校准系数Ci；6)计算晶体硅太阳电池片的局部串联暗饱和电流；7)计算晶体硅太阳电池片的局部串联电阻和局部并联电阻；8)计算晶体硅太阳电池片的局部光生电流；9)计算晶体硅太阳电池片的局部IV性能。
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