[发明专利]非易失性存储器的数据改写方法以及半导体装置有效
申请号: | 201811189073.4 | 申请日: | 2018-10-12 |
公开(公告)号: | CN109656835B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 渡边伴美 | 申请(专利权)人: | 拉碧斯半导体株式会社 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;闫小龙 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及非易失性存储器的数据改写方法以及半导体装置。目的在于提供能够缩短数据的改写时间的非易失性存储器的数据改写方法以及半导体装置。具有:数据写入步骤,接收写入用数据和表示写入目的地的块的逻辑地址,在写入目的地的块为数据写入完毕的情况下,将在多个块之中数据未写入的空闲块作为临时保管块,将写入用数据写入到临时保管块中;以及管理步骤,向写入目的地的块和临时保管块这每一对分配与该一对对应的索引号码,生成将索引号码与表示临时保管块在非易失性存储器内的位置的物理地址对应起来表示的管理表,在数据写入步骤中,从管理表取得向写入目的地的块分配的索引号码所对应的物理地址,将写入用数据写入到由物理地址表示的临时保管块中。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 数据 改写 方法 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性存储器的数据改写方法,所述非易失性存储器具有多个块,所述数据改写方法的特征在于,具有:数据写入步骤,接收写入用数据和表示写入目的地的块的逻辑地址,在所述写入目的地的块为数据写入完毕的情况下,将在所述多个块之中数据未写入的空闲块作为临时保管块,将所述写入用数据写入到所述临时保管块中;以及管理步骤,向所述写入目的地的块和所述临时保管块这一对分配与该一对对应的索引号码,生成将所述索引号码与表示所述临时保管块在所述非易失性存储器内的位置的物理地址对应起来表示的管理表,在所述数据写入步骤中,从所述管理表取得向所述写入目的地的块分配的所述索引号码所对应的所述物理地址,将所述写入用数据写入到由所述物理地址表示的所述临时保管块中。
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