[发明专利]一种草酸盐纳米片阵列薄膜电极的制备方法有效
| 申请号： | 201811186738.6 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109267090B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 李纲;全学军;胡学步;齐学强;白薇扬;向小倩 | 申请（专利权）人： | 重庆理工大学 |
| 主分类号： | C25B11/04 | 分类号： | C25B11/04;C25B11/06;C25B1/04;H01G11/30;H01G11/86;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安启诚专利知识产权代理事务所(普通合伙) 61240 | 代理人： | 冯亮 |
| 地址： | 400054 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种草酸盐纳米片阵列薄膜电极的制备方法，所述草酸盐纳米片阵列薄膜电极包括导电基片和附着于所述导电基片表面的草酸盐纳米片阵列薄膜。本发明的草酸盐纳米片阵列薄膜电极以草酸镍或草酸钴为活性材料，同步完成活性材料的制备及活性材料与导电基体的结合，简化传统粉体电极材料的组装步骤，制备工艺简单便捷，得到的草酸盐纳米片阵列薄膜高度有序，具有垂直于导电基体表面取向生长的特点，形成的多孔通道和有序物理结构有利于电解液和电子扩散与迁移。本发明的草酸盐纳米片阵列薄膜电极电化学活性高，可直接作为超级电容器的电极材料或电解水用催化材料。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米片阵列 薄膜电极 草酸盐 活性材料 制备 酸盐 种草 薄膜 导电基片表面 导电基体表面 超级电容器 电化学活性 催化材料 导电基片 导电基体 电极材料 电子扩散 多孔通道 粉体电极 高度有序 取向生长 同步完成 物理结构 制备工艺 组装步骤 草酸镍 草酸钴 电解水 电解液 附着 垂直 迁移 | ||
【主权项】：
1.一种草酸盐纳米片阵列薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述草酸盐纳米片阵列薄膜电极包括导电基片和附着于所述导电基片表面的草酸盐纳米片阵列薄膜；制备方法包括以下步骤：步骤一、向水热釜中加入去离子水，然后加入可溶性草酸盐，搅拌30min～60min后加入过渡金属盐，搅拌20min～40min，得到混合溶液；所述过渡金属盐包括镍盐或钴盐；每70mL去离子水中加入可溶性草酸盐的量为2mmol～4mmol，过渡金属盐的量为2mmol～4mmol；步骤二、将经超声刻蚀处理的导电基片放入步骤一所述混合溶液中，密封所述水热釜进行水热反应；所述水热反应的温度为130℃～180℃，水热反应时间为3h～24h；步骤三、取出导电基片，用去离子水冲洗，烘干，得到草酸盐纳米片阵列薄膜电极。
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