[发明专利]一种具有保护层的SiO2

摘要

本发明公开了一种具有保护层的SiO2沟道型硫系波导及其制备方法，解决了现有技术中SiO2沟道型波导制备中沟道侧壁粗糙的问题，其技术方案要点是，通过在Si/SiO2基片的SiO2的表层涂覆光刻胶作为掩膜层，再将具有掩膜层的Si/SiO2基片放入ICP刻蚀机内刻蚀SiO2沟道，通过通入氩气和三氟甲烷气体调节刻蚀精度，再在具有SiO2沟道的Si/SiO2基片上依次镀设As2Se3硫系薄膜和SU‑8聚合物，最后将掩膜层及其上方的As2Se3硫系薄膜和SU‑8聚合物从Si/SiO2基片上剥离得到波导，本发明公开的一种具有、保护层的SiO2沟道型硫系波导及其制备方法，通过控制氩气和三氟甲烷两种气体的配比来优化刻蚀参数，可将SiO2沟道侧壁的粗糙度降到最低，进而减小了波导侧壁的粗糙度。

主权项

1.一种具有保护层的SiO2沟道型硫系波导的制备方法，其特征在于：包括以下步骤，1)取Si/SiO2基片并在顶层的SiO2表面涂覆一层光刻胶作为掩膜层，并且在该掩膜层上制作出需要制作的波导的掩膜图案；2)将具有掩膜层的Si/SiO2基片放入ICP刻蚀机内进行刻蚀使得在SiO2层形成SiO2沟道，刻蚀的同时通入氩气和三氟甲烷气体；3)在Si/SiO2基片的掩膜层和SiO2沟道的表面镀设一层As2Se3硫系薄膜；4)在As2Se3硫系薄膜表面涂布一层保护层，该保护层采用SU‑8聚合物材料；5)剥离Si/SiO2基片上的掩膜层，同时去除位于掩膜层上方的As2Se3硫系薄膜和SU‑8聚合物，形成SiO2沟道型硫系波导。