[发明专利]制造集成电路器件的方法

摘要

提供了制造集成电路器件的方法。为了制造集成电路器件，扩散缓冲层和含碳层在形成于衬底中的多个鳍型有源区上顺序地形成。含碳掩模图案通过使用包含氧原子的蚀刻气体蚀刻含碳层而形成为具有暴露扩散缓冲层的一部分的开口，同时扩散缓冲层阻止氧扩散到鳍型有源区中。杂质离子使用含碳掩模图案作为离子注入掩模经由开口和扩散缓冲层注入到一些鳍型有源区中，所述一些鳍型有源区从所述多个鳍型有源区之中选择。

主权项

1.一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成多个鳍型有源区；在所述多个鳍型有源区上形成扩散缓冲层，以阻止氧扩散到所述多个鳍型有源区中；在所述扩散缓冲层上形成含碳层；通过使用包含氧原子的蚀刻气体蚀刻所述含碳层而形成含碳掩模图案，所述含碳掩模图案具有暴露所述扩散缓冲层的一部分的开口；以及使用所述含碳掩模图案作为离子注入掩模使杂质离子经由所述开口和所述扩散缓冲层注入到一组鳍型有源区中。