[发明专利]高压元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811166763.8 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN111009569B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;游焜煌 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种高压元件及其制造方法。高压元件包含：硅晶层、阱区、本体区、栅极以及源极与漏极。其中，硅晶层形成于半导体基板上。阱区具有N型导电型，形成于硅晶层中。本体区具有P型导电型，形成于阱区中。栅极位于阱区上方并连接于阱区。源极与漏极具有N型导电型，分别位于栅极的外部不同侧下方的本体区中与阱区中。反转区定义于源极与阱区间的本体区中，用以在导通操作中作为反转电流通道。反转区具有锗原子分布区，且其中的锗原子浓度高于1*10 |
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| 搜索关键词： | 高压 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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