[发明专利]在柔性衬底表面制备F掺杂SnO2透明导电薄膜的方法有效
| 申请号： | 201811165189.4 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109338318B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 祝柏林;陶冶;杨玉婷 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种在柔性衬底表面制备F掺杂SnO |
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| 搜索关键词： | 柔性 衬底 表面 制备 掺杂 sno2 透明 导电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在柔性衬底表面制备F掺杂SnO2透明导电薄膜的方法，其特征在于所述制备方法的步骤是：步骤一、先将55～90wt％的锡粉末、5～25wt％的二氧化锡粉末和5～20wt％的二氟化锡粉末混合，再于100～200MPa条件下压制成型，然后于压强<1Pa和温度为190～210℃条件下烧结40～50h，制得靶材；步骤二、先将所述靶材固定到磁控溅射系统的靶座上，再将清洗后的柔性衬底固定到衬底支架上，所述靶材与所述柔性衬底的距离为40～80mm；步骤三、将所述磁控溅射系统的腔体抽真空至压强小于3×10‑3Pa，再通入Ar与O2，通入的Ar与O2的流量比为1∶(0.05～0.25)；然后在室温条件下采用偏压射频溅射技术，在柔性衬底表面制得F掺杂SnO2透明导电薄膜；溅射时，溅射气压为0.2～3Pa，溅射功率为15～75W，衬底负偏压为0～100V。
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