[发明专利]单层石墨烯本征缺陷下的电导率计算方法有效
| 申请号： | 201811156912.2 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109543211B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 杨生胜;薛玉雄;黄文超;王小军;黄一凡;张晨光;苗育君;王光毅 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 代丽;仇蕾安 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单层石墨烯本征缺陷下的电导率计算方法。使用本发明能够计算出完美石墨烯晶胞结构出现本征缺陷之后的结构与电子特性的改变，进而得到其电导率的变化情况。本发明首先建立单层石墨烯各类型本征缺陷的晶胞构型模型；然后利用第一性原理得到缺陷结构最为稳定的晶胞常数；通过对比完备完美晶胞和完备缺陷晶胞的晶胞结构、静态情形以及能态密度，理论分析并推导出石墨烯出现本征缺陷之后的电导率变化情况。本发明基于严谨理论分析手段拓展了实验测量，适用于石墨烯缺陷对其电导率的极为敏感的影响分析。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 石墨 缺陷 电导率 计算方法 | ||
【主权项】：
1.一种单层石墨烯本征缺陷下的电导率计算方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，构建不同类型本征缺陷晶胞结构模型，利用第一性原理，计算各类型本征缺陷晶胞的体系总能，最小体系总能所对应的本征缺陷晶胞即为最稳定的本征缺陷晶胞结构；步骤2，建立步骤1确定的最稳定的本征缺陷晶胞结构的完备晶胞β1；同时建立单层石墨烯完美晶胞结构的完备晶胞β0作为对照；步骤3，利用第一性原理，分别计算完备晶胞β1和完备晶胞β0的电荷密度分布信息以及电子能态密度分布信息；步骤4，将两个完备晶胞β1、β0的电子能态密度分别做积分处理，根据两个完备晶胞的电子能态密度积分的变化值计算单层石墨烯在发生本征缺陷后的电导率变化量。
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