[发明专利]单层石墨烯本征缺陷下的电导率计算方法

权利要求书

1.一种单层石墨烯本征缺陷下的电导率计算方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，构建不同类型本征缺陷晶胞结构模型，利用第一性原理，计算各类型本征缺陷晶胞的体系总能，最小体系总能所对应的本征缺陷晶胞即为最稳定的本征缺陷晶胞结构；

步骤2，建立步骤1确定的最稳定的本征缺陷晶胞结构的完备晶胞β₁；同时建立单层石墨烯完美晶胞结构的完备晶胞β₀作为对照；

步骤3，利用第一性原理，分别计算完备晶胞β₁和完备晶胞β₀的电荷密度分布信息以及电子能态密度分布信息；

步骤4，将两个完备晶胞β₁、β₀的电子能态密度分别做积分处理，根据两个完备晶胞的电子能态密度积分的变化值计算单层石墨烯在发生本征缺陷后的电导率变化量。

2.如权利要求1所述的单层石墨烯本征缺陷下的电导率计算方法，其特征在于，所述步骤4中，两个完备晶胞的电子能态密度分别在费米面正负3个KT范围内做积分，得到晶胞β₀和晶胞β₁的积分能态密度，其中，K为玻尔兹曼常数，T为开氏温度。

3.如权利要求1所述的单层石墨烯本征缺陷下的电导率计算方法，其特征在于，所述步骤1中，针对各类型本征缺陷晶胞结构模型，首先固定非缺陷原子，对晶胞剩余其他原子进行位置弛豫，得到最稳定构型；然后固定最稳定构型所有原子，对整个晶胞结构再进行一次弛豫，得到对应本征缺陷晶胞的体系总能。

4.如权利要求1或2所述的单层石墨烯本征缺陷下的电导率计算方法，其特征在于，所述步骤4中，在计算完备晶胞β₁和β₀的电子能态密度分布信息时，将石墨烯的褶皱结构作为非线性因素引入第一性原理计算中。