[发明专利]量子点及其制备方法在审
| 申请号： | 201811156581.2 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110964504A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 聂志文;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料领域，具体涉及一种量子点及其制备方法。该量子点包括III‑V族量子点核和包覆在所述III‑V族量子点核表面的乙酰丙酮盐壳层。该量子点通过在III‑V族量子点核的表面引入一层乙酰丙酮盐壳层，可以钝化III‑V族量子点核表面，不仅使量子点更加稳定、尺寸分布变得均匀，而且具有更好的分散性，可显著收窄峰宽，同时非常有利于厚外壳层的生长，以进一步提高量子点的发光效率，对III‑V族量子点的使用和发展具有极为重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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