[发明专利]半导体器件的介电层化学机械研磨方法在审
| 申请号： | 201811154536.3 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109300784A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 刘怡良;于明非;林旭;陈建勋 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的介电层化学机械研磨方法，涉及半导体集成电路制造技术，所述半导体器件包括衬底，衬底上包括介电层，且所述衬底上第一区域内的介电层内金属线坯的间隙不等于第二区域内的介电层内金属线坯的间隙，该方法包括在所述第二区域的介电层上淀积光罩层，以所述光罩层为掩膜向所述第一区域内掺杂金属离子；去除所述光罩层；以及步骤S3：使用化学机械研磨液对所述介电层进行化学机械研磨，以调配介电层内金属线坯的间隙不同的区域之间的研磨速度，进而使器件电性开启电压匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 化学机械研磨 半导体器件 光罩层 金属线 衬底 第二区域 第一区域 半导体集成电路制造 化学机械研磨液 掺杂金属离子 开启电压 研磨 电性 淀积 掩膜 去除 匹配 调配 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的介电层化学机械研磨方法，其中，所述半导体器件包括衬底，衬底上包括介电层，且所述衬底上第一区域内的介电层内金属线坯的间隙不等于第二区域内的介电层内金属线坯的间隙，其特征在于，包括：步骤S1：在所述第二区域的介电层上淀积光罩层，以所述光罩层为掩膜向所述第一区域内掺杂金属离子；步骤S2：去除所述光罩层；以及步骤S3：使用化学机械研磨液对所述介电层进行化学机械研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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