[发明专利]一种改善SE电池扩散方阻均匀性的方法

摘要

本发明公开了一种改善SE电池扩散方阻均匀性的方法，步骤A选取单晶片源；步骤B硅片常规制绒；步骤C硅片通过扩散炉管进行优化扩散，扩散温度770～790℃，扩散时间6～8min，小N2气体流量200～250sccm，大N2气体流量400～500sccm，O2气体流量350～450sccm；步骤D硅片依次常规激光PSG掺杂、刻蚀、热氧化退火、背钝化、PECVD正面镀膜、激光刻槽、印刷烧结，得到单晶PERC激光掺杂电池片；步骤E对电池片进行EL和外观全检。本发明工艺简单，容易实现，可使有效改善电池片低浓度掺杂区的高方阻值均匀性和高浓度掺杂区的低方阻均匀性，从而使得优化扩散后的电池片转换效率得以有效提升，电池片转换效率档位分布更为集中。

主权项

1.一种改善SE电池扩散方阻均匀性的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A，选取单晶片源，所选硅片尺寸为156.75mm×156.75mm×210um，所选硅片掺杂类型为掺镓，所选硅片电阻率为0.4～1.1Ω；步骤B，将所选硅片通过制绒机进行常规制绒；步骤C，制绒合格后，将硅片通过扩散炉管进行优化扩散，将扩散炉管的扩散温度设置为770～790℃，扩散时间设置为6～8min，扩散时小N2气体流量设置为200～250sccm，大N2气体流量设置为400～500sccm，O2气体流量设置为350～450sccm，然后进管扩散；步骤D，扩散合格后，将硅片依次进行常规激光PSG掺杂、刻蚀、热氧化退火、背钝化、PECVD正面镀膜、激光刻槽、印刷烧结后得到单晶PERC激光掺杂电池片；步骤E，将所得单晶PERC激光掺杂电池片进行EL和外观全检，合格者备用。