[发明专利]一种改善SE电池扩散方阻均匀性的方法有效
| 申请号： | 201811152002.7 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109411341B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 张黎;彭平;夏中高;李旭杰;杨雄磊 | 申请（专利权）人： | 平煤隆基新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司： | 许昌豫创知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 41140 | 代理人： | 韩晓静 |
| 地址： | 461700 河南省许*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 se 电池 扩散 均匀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善SE电池扩散方阻均匀性的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤A，选取单晶片源，所选硅片尺寸为156.75mm×156.75mm×210um，所选硅片掺杂类型为掺镓，所选硅片电阻率为0.4～1.1Ω；
步骤B，将所选硅片通过制绒机进行常规制绒；
步骤C，制绒合格后，将硅片通过扩散炉管进行优化扩散，将扩散炉管的扩散温度设置为770～790℃，扩散时间设置为6～8min，扩散时小N2气体流量设置为200～250sccm，大N2气体流量设置为400～500sccm，O2气体流量设置为350～450sccm，然后进管扩散；
步骤D，扩散合格后，将硅片依次进行常规激光PSG掺杂、刻蚀、热氧化退火、背钝化、PECVD正面镀膜、激光刻槽、印刷烧结后得到单晶PERC激光掺杂电池片；
步骤E，将所得单晶PERC激光掺杂电池片进行EL和外观全检，合格者备用。
2.根据权利要求1所述的改善SE电池扩散方阻均匀性的方法，其特征在于：制绒后硅片通过扩散炉管进行优化扩散时依次为进舟、升温、沉积、升温、推进、降温、变温沉积、降温、出舟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于平煤隆基新能源科技有限公司，未经平煤隆基新能源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811152002.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶圆键合方法
- 下一篇：一种碳化硅沟槽刻蚀方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
