[发明专利]一种AlGaN基p-i-n日盲紫外探测器及制备方法

摘要

本专利公布了一种AlGaN基p‑i‑n日盲紫外探测器及制备方法，探测器结构包括图形化蓝宝石衬底，缓冲层，n型掺杂层，i型掺杂层，应力释放层，p型层，i型层，结构布置自下至上依次为图形化蓝宝石衬底、缓冲层、n型掺杂层、i型掺杂层、应力释放层、p型层、i型层；制备方法包括：对衬底进行清洗，在衬底表面进行淀积石墨处理，获取缓冲层和n型掺杂层，依次生长i型掺杂层，应力释放层，p型层，i型层。本发明可提供的背入射AlGaN基p‑i‑n日盲紫外探测器优势：(1)应力释放层能够减少结构的位错密度，降低器件出现龟裂的概率；(2)二氧化硅作为钝化层，具有优良的绝缘特性，可以作为有效的电极隔离层，从而提高光电转换效率。

主权项

1.一种AlGaN基p‑i‑n日盲紫外探测器，其特征在于：包括图形化蓝宝石衬底(1)，缓冲层(2)，n型掺杂层(3)，i型掺杂层(4)，应力释放层(5)，p型层(6)，i型层(7)，所述图形化蓝宝石衬底(1)布置在器件的最下方，所述缓冲层(2)布置在图形化蓝宝石衬底(1)上方，所述n型掺杂层(3)布置在缓冲层(2)与i型掺杂层(4)之间，所述i型掺杂层(4)布置在n型掺杂层(3)与应力释放层(5)之间，所述应力释放层(5)布置在i型掺杂层(4)与p型层(6)之间，所述p型层(6)布置在应力释放层(5)与i型层(7)之间，所述i型层(7)布置在p型层(6)上方。