[发明专利]衬底处理方法及衬底处理设备在审
| 申请号： | 201811143331.5 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585338A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 池尙炫;文勇秀;李建范 | 申请（专利权）人： | AP系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种衬底处理方法及衬底处理设备。所述衬底处理方法包括：对进行衬底处理工艺的衬底进行加热，以使衬底的温度达到目标温度；在对衬底进行加热的同时，使用面对衬底定位的传感器来计算衬底的温度；以及根据从计算温度的步骤计算出的所述温度来控制被配置成对衬底进行加热的加热部件的操作，其中计算温度的步骤包括：使用传感器测量从衬底辐射出的总辐射能；通过应用修正值对总发射率进行修正来计算经修正总发射率，所述总发射率是总辐射能的发射率；以及使用总辐射能及经修正总发射率来计算衬底的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 衬底处理 总发射率 总辐射能 加热 衬底处理设备 修正 使用传感器 衬底定位 加热部件 发射率 传感器 成对 测量 辐射 配置 应用 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理方法，其特征在于，包括：对进行衬底处理工艺的衬底进行加热，以使所述衬底的温度达到目标温度；在对所述衬底进行加热的同时，使用面对所述衬底定位的传感器来计算所述衬底的所述温度；以及根据从所述计算所述温度的步骤计算出的所述温度来控制被配置成对所述衬底进行加热的加热部件的操作，其中所述计算所述温度的步骤包括：使用所述传感器测量从所述衬底辐射出的总辐射能(Et)；通过应用修正值对总发射率(εt)进行修正来计算经修正总发射率(εt0)，所述总发射率(εt)是所述总辐射能(Et)的发射率；以及使用所述总辐射能(Et)及所述经修正总发射率(εt0)来计算所述衬底的所述温度(Ts)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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