[发明专利]一种砷化镓晶体的退火方法及得到的砷化镓晶片在审
| 申请号： | 201811125280.3 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109112637A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 朱铁军;谈笑天;肖亚东 | 申请（专利权）人： | 汉能新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/42 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陈丹;张奎燕 |
| 地址： | 101407 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种砷化镓晶体的退火方法，所述方法包括下述步骤：将砷化镓晶棒切割成晶片；在真空条件下、砷蒸气气氛中，对所述晶片进行退火。还公开了通过所述砷化镓晶体的退火方法制备得到的砷化镓晶片。本申请的砷化镓晶体的退火方法能够提高得到的砷化镓晶片的电性能和表面质量，从而提高晶片的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 退火 砷化镓 晶体的 砷化镓晶片 晶片 晶棒切割 真空条件 成晶片 成品率 电性能 砷蒸气 申请 制备 | ||
【主权项】：
1.一种砷化镓晶体的退火方法，所述方法包括下述步骤：将砷化镓晶棒切割成晶片；在真空条件下、砷蒸气气氛中，对所述晶片进行退火。
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