[发明专利]一种采用非铜基耐高温导电基体制备几何面积可控的高密度氧化铜纳米线的方法

摘要

一种采用非铜基耐高温导电基体制备几何面积可控的高密度氧化铜纳米线的方法，该方法利用电沉积及高温煅烧简单两步法制备生长高密度的氧化铜纳米线阵列，首先通过电沉积技术在导电基体上电沉积几何面积可控的铜镀层，再利用高温煅烧技术制备得到高密度氧化铜纳米线阵列。本方法的优点是：方法简单、操作容易，酸性硫酸铜或碱性焦磷酸铜两种镀液可分别适用于不同酸碱耐受性的导电基体，并通过电沉积步骤控制镀层几何面积，制备得到的氧化铜纳米线阵列均匀的分布在基体上，同时氧化铜纳米线具有浓密、长度大和电化学活性表面积高的优势，可直接应用与电催化、光催化及光电催化等多个领域。

主权项

1.一种采用非铜基耐高温导电基体制备几何面积可控的高密度氧化铜纳米线的方法，其特征在于：该方法利用电沉积及高温煅烧简单两步法，以非铜基耐高温导电材料作为基底，通过电化学沉积的方法在基底表面得到几何面积可控的铜镀层，经过进一步高温煅烧得到生长于基底表面的氧化铜纳米线；步骤如下：(1)根据非铜基耐高温导电基底对酸碱的耐受性选择酸性硫酸铜镀液或碱性焦磷酸铜镀液；(2)对基底材料做进一步的清洁干燥处理后，利用直流稳压电源在10‑20mA/cm2的电流密度下在基底材料表面进行铜镀层电沉积；(3)用砂纸打磨去除铜镀层表面氧化层，而后迅速放入管式炉在惰性气体保护下以5℃/min的速度升温至400℃，再于空气氛下升温至600℃并维持5h，而后以1℃/min的速度降温至室温；利用高温氧化的方法在耐高温导电基体上制备生长浓密的氧化铜纳米线。