[发明专利]复合元件有效
| 申请号： | 201811120744.1 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109560790B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 谷口康政;大村正志;山根毅 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朴云龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在构成有半导体元件的硅基板上设置有弹性波元件且弹性波元件的特性不易劣化的复合元件。复合元件(10)具备：硅基板(3)，具有相互对置的第一主面(3a)以及第二主面(3b)；半导体元件(2)，在硅基板(3)的第一主面(3a)侧以及第二主面(3b)侧中的至少一方构成；以及弹性波元件(1)，具有直接或间接地设置在硅基板(3)的第一主面(3a)上的氧化硅膜(4)、直接设置在氧化硅膜(4)上的压电体层(5)、以及设置在压电体层(5)上的IDT电极(6)。在将由IDT电极(6)的电极指间距规定的波长设为λ时，压电体层(5)的厚度为2.5λ以下。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 元件 | ||
【主权项】：
1.一种复合元件，具备：硅基板，具有相互对置的第一主面以及第二主面；半导体元件，在所述硅基板的所述第一主面侧以及所述第二主面侧中的至少一方构成；以及弹性波元件，具有氧化硅膜、压电体层、以及IDT电极，所述氧化硅膜直接或间接地设置在所述硅基板的所述第一主面上，所述压电体层直接设置在所述氧化硅膜上，所述IDT电极设置在所述压电体层上，在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ时，所述压电体层的厚度为2.5λ以下。
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