[发明专利]复合元件

说明书

本发明提供一种在构成有半导体元件的硅基板上设置有弹性波元件且弹性波元件的特性不易劣化的复合元件。复合元件(10)具备：硅基板(3)，具有相互对置的第一主面(3a)以及第二主面(3b)；半导体元件(2)，在硅基板(3)的第一主面(3a)侧以及第二主面(3b)侧中的至少一方构成；以及弹性波元件(1)，具有直接或间接地设置在硅基板(3)的第一主面(3a)上的氧化硅膜(4)、直接设置在氧化硅膜(4)上的压电体层(5)、以及设置在压电体层(5)上的IDT电极(6)。在将由IDT电极(6)的电极指间距规定的波长设为λ时，压电体层(5)的厚度为2.5λ以下。

技术领域

本发明涉及复合元件。

背景技术

以往，在便携式电话机的RF前端部中，多数情况下将功率放大器、低噪声放大器、开关等半导体元件和利用了弹性波的RF滤波器、双工器等弹性波元件模块化。在下述的专利文献1公开了具有半导体元件以及声表面波元件的复合元件的一个例子。在该复合元件中，在包含Si(硅)的半导体基板中，构成有作为半导体元件的FET(Field EffectTransistor，场效应晶体管)。在上述半导体基板上，设置有声表面波元件。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平6-120416号公报

半导体元件是有源元件，是在驱动时发热的器件。此外，声表面波元件等弹性波元件在驱动时也发热，主要是设置有IDT电极的部分发热。因此，在像专利文献1记载的复合元件那样在包含硅的构成有半导体元件的半导体基板上设置有弹性波元件的情况下，虽然能够小型化，但是不仅在弹性波元件自身中产生的热施加于弹性波元件，而且在半导体元件中产生的热也施加于弹性波元件。因此，弹性波元件的频率、插入损耗由于热而变动，从而有时接收灵敏度等特性会劣化。

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于，提供一种在构成有半导体元件的硅基板上设置有弹性波元件且弹性波元件的特性不易劣化的复合元件。

用于解决课题的技术方案

本发明涉及的复合元件具备：硅基板，具有相互对置的第一主面以及第二主面；半导体元件，在所述硅基板的所述第一主面侧以及所述第二主面侧中的至少一方构成；以及弹性波元件，具有氧化硅膜、压电体层、以及IDT电极，所述氧化硅膜直接或间接地设置在所述硅基板的所述第一主面上，所述压电体层直接设置在所述氧化硅膜上，所述IDT电极设置在所述压电体层上，在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ时，所述压电体层的厚度为2.5λ以下。

在本发明涉及的复合元件的某个特定的方面中，设置有与所述IDT电极电连接且贯通所述硅基板的贯通电极。在该情况下，能够经由贯通电极将在弹性波元件中产生的热迅速地向硅基板侧以及外部进行散热。因此，在弹性波元件中产生的热不易传播到半导体元件。因此，半导体元件的特性不易劣化。

在本发明涉及的复合元件的另一个特定的方面中，所述弹性波元件具有与所述IDT电极电连接的第一布线电极，所述半导体元件具有功能电极以及与所述功能电极电连接的第二布线电极，所述第一布线电极和所述第二布线电极在俯视下不重叠。在该情况下，不易产生寄生电容，能够使弹性波元件以及半导体元件的特性更加不易劣化。

在本发明涉及的复合元件的又一个特定的方面中，在所述硅基板的所述第一主面侧构成有所述半导体元件，在所述硅基板的所述第二主面上，且在俯视下至少与所述半导体元件重叠的部分，设置有屏蔽电极。在该情况下，半导体元件的特性不易劣化。

在本发明涉及的复合元件的另一个特定的方面中，所述硅基板具有在所述第一主面侧开口的凹部，所述半导体元件构成在所述凹部内，所述氧化硅膜设置为覆盖所述凹部以及所述半导体元件。在该情况下，无需另外设置覆盖半导体元件的保护膜。因此，能够提高生产率，且半导体元件不易破损。