[发明专利]带有散热结构的边发射半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811120357.8 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109244825B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 郭志友;徐智鸿;孙慧卿 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/323 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 510631 广东省广州市天河区中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及带有散热结构的边发射半导体激光器及其制备方法，其包括边发射半导体激光器，石墨烯以及夹心热沉结构，所述石墨烯位于所述边发射半导体激光器与所述夹心热沉结构之间，所述夹心热沉具体为上下两层是Cu层，中间为SiC的夹心结构；对于其制备方法，本发明首先在Si衬底上制作激光器芯片，然后用衬底剥离技术将衬底去除使其与石墨烯接触，最后，通过夹心热沉解决大功率边发射激光器散热问题。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 散热 结构 发射 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.带有散热结构的边发射半导体激光器，其特征在于，包括：边发射半导体激光器，石墨烯以及夹心热沉结构，所述石墨烯位于所述边发射半导体激光器与所述夹心热沉结构之间。
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