[发明专利]一种基于半导体材料的红外宽光谱光吸收器有效
| 申请号： | 201811119513.9 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109188578B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 刘昌;张恒;吴昊;李慧 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02B5/22;G01J3/42;G01N21/35 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于半导体材料的红外宽光谱光吸收器，采用如下方法制备获得：(1)对衬底进行超声清洗，用氧等离子体处理超声清洗后的衬底；(2)在衬底上制备或转移单层或多层的Al |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 半导体材料 红外 光谱 光吸收 | ||
【主权项】：
1.一种基于半导体材料的红外宽光谱光吸收器，其特征是，采用如下方法制备获得：(1)对衬底进行超声清洗，用氧等离子体处理超声清洗后的衬底；(2)在衬底上制备或转移单层或多层的Al2O3空心球壳阵列，单层Al2O3空心球壳阵列厚度为5nm～1000nm，其中，球壳直径为50nm～100000nm；(3)在Al2O3空心球壳阵列上沉积载流子浓度为1013cm‑3～1021cm‑3的半导体颗粒或半导体薄膜，当在Al2O3空心球壳阵列上沉积半导体颗粒时，半导体颗粒的直径为3nm～5000nm；当在Al2O3空心球壳阵列上沉积半导体薄膜时，半导体薄膜的厚度为3nm～5000nm；(4)对沉积的半导体颗粒或半导体薄膜进行退火，即获得红外宽光谱光吸收器。
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