[发明专利]等离子体处理方法有效
申请号: | 201811118529.8 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN109559987B | 公开(公告)日: | 2023-03-10 |
发明(设计)人: | 横田聪裕;伴瀬贵德;高良穣二;森北信也;奥西直彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种在执行等离子体处理中使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理方法。一个实施方式的等离子体处理方法在腔室主体的内部空间中收纳有被加工物的状态下执行。等离子体处理方法包括:(i)对被加工物执行第一等离子体处理的步骤;和(ii)对被加工物执行第二等离子体处理的步骤。在执行第二等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率,大于在执行第一等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率。在执行第二等离子体处理的步骤中,利用电磁铁形成如下磁场分布:在被加工物的边缘侧之上具有比被加工物的中心之上的水平成分大的水平成分。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种使用等离子体处理装置来执行的等离子体处理方法,其特征在于:所述等离子体处理装置包括:提供内部空间的腔室主体;设置于所述内部空间中的载置台,其包括下部电极,提供被加工物的载置区域,所述载置区域的中心位于所述腔室主体的中心轴线上;向所述内部空间供给第一气体和第二气体的气体供给部;产生等离子体生成用的第一高频的第一高频电源;与所述下部电极电连接的第二高频电源,其产生具有比所述第一高频的频率低的频率的第二高频;和在所述内部空间中形成磁场的电磁铁,所述等离子体处理方法在所述内部空间中收纳有被加工物的状态下执行,其包括:对所述被加工物执行第一等离子体处理的步骤,在该步骤中利用供给到所述内部空间的所述第一气体的等离子体对所述被加工物进行处理;和对所述被加工物执行第二等离子体处理的步骤,在该步骤中利用供给到所述内部空间的所述第二气体的等离子体对所述被加工物进行处理,在所述执行第二等离子体处理的步骤中被设定的所述第二高频的电功率,大于在所述执行第一等离子体处理的步骤中被设定的所述第二高频的电功率,在所述执行第二等离子体处理的步骤中,利用所述电磁铁形成在所述被加工物的边缘侧之上具有比所述被加工物的中心之上的水平成分大的水平成分的磁场分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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