[发明专利]3D存储器件的制造方法及3D存储器件

摘要

本申请公开了一种3D存储器件的制造方法及3D存储器件。3D存储器件包括：叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；贯穿所述叠层结构的多个沟道柱；位于所述叠层结构的第一表面和第二表面之一上的多条位线；以及位于所述叠层结构的所述第一表面和第二表面另一个上的公共源线，其中，所述多个沟道柱的一端分别连接到所述多条位线中的相应位线，另一端共同连接到所述公共源线。该3D存储器件采用分别位于3D存储器件堆叠结构的第一表面和第二表面的公共源线和位线，双面布线降低了布线密度，增加了布线宽度，降低了工艺难度，简化了制造工艺，从而提高3D存储器件的良率和可靠性。

主权项

1.一种3D存储器件的制造方法，包括：形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；形成贯穿所述叠层结构的多个沟道柱；在所述叠层结构的第一表面和第二表面之一上形成多条位线；以及在所述叠层结构的所述第一表面和第二表面另一个上形成公共源线，其中，所述多个沟道柱的一端分别连接到所述多条位线中的相应位线，另一端共同连接到所述公共源线。