[发明专利]一种ESD保护电路有效

专利信息
申请号: 201811113733.0 申请日: 2018-09-25
公开(公告)号: CN109193601B 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 蒋其梦;李玉山;王汉星 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请实施例公开了一种ESD保护电路,包括负向ESD保护模块和正向ESD保护模块,负向ESD保护模块包括第一电阻、充电电容、第一场效应管和第二场效应管,正向ESD保护模块包括第四场效应管。当出现负向ESD事件时,P型GAN增强型功率器的栅极相对于源极会出现一个较大的瞬态电压,从而再充电电容上产生一个从P型GAN增强型功率器的源极到栅极的位移电流,该位移电流在第一电阻上产生压降可以使得第一场效应管开启时,第一场效应管和第二场效应管形成一个通路,从而释放来自于栅极相对于源极的负向ESD能量。同时当栅极相对于源极施加一负向稳态电压时,第一场效应管处于关断状态,所以可以兼容稳态下的负向电压测试。
搜索关键词: 一种 esd 保护 电路
【主权项】:
1.一种静电放电ESD保护电路,其特征在于,包括:负向ESD保护模块(110)和正向ESD保护模块(100),所述正向ESD保护模块(100)和所述负向ESD保护模块(110)并联连接,所述正向ESD保护模块(100)和所述负向ESD保护模块(110)的两端分别连接P型GaN增强型功率器件(30)的栅极和源极;其中,所述负向ESD保护模块(110)包括第一电阻(111)、充电电容(112)、第一场效应管(113)和第二场效应管(114);所述第一电阻(111)的一端与所述P型GaN增强型功率器件(30)的栅极相连接,另一端分别连接所述第一场效应管(113)的栅极和所述充电电容(112)的一端;所述第一场效应管(113)的漏极与所述P型GaN增强型功率器件(200)的栅极相连接,源极与所述第二场效应管(114)的漏极相连接;所述第二场效应管(114)的栅极和源极连接所述P型GaN增强型功率器件(30)的源极;所述正向ESD保护模块(100)包括第四场效应管(101);所述第四场效应管(101)的栅极和漏极与P型GaN增强型功率器件(30)的栅极相连接,所述第四场效应管(101)的源极连接所述P型GaN增强型功率器件(30)的源极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司,未经华为技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811113733.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top