[发明专利]一种ESD保护电路有效
申请号: | 201811113733.0 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN109193601B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 蒋其梦;李玉山;王汉星 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 逯长明;许伟群 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请实施例公开了一种ESD保护电路,包括负向ESD保护模块和正向ESD保护模块,负向ESD保护模块包括第一电阻、充电电容、第一场效应管和第二场效应管,正向ESD保护模块包括第四场效应管。当出现负向ESD事件时,P型GAN增强型功率器的栅极相对于源极会出现一个较大的瞬态电压,从而再充电电容上产生一个从P型GAN增强型功率器的源极到栅极的位移电流,该位移电流在第一电阻上产生压降可以使得第一场效应管开启时,第一场效应管和第二场效应管形成一个通路,从而释放来自于栅极相对于源极的负向ESD能量。同时当栅极相对于源极施加一负向稳态电压时,第一场效应管处于关断状态,所以可以兼容稳态下的负向电压测试。 | ||
搜索关键词: | 一种 esd 保护 电路 | ||
【主权项】:
1.一种静电放电ESD保护电路,其特征在于,包括:负向ESD保护模块(110)和正向ESD保护模块(100),所述正向ESD保护模块(100)和所述负向ESD保护模块(110)并联连接,所述正向ESD保护模块(100)和所述负向ESD保护模块(110)的两端分别连接P型GaN增强型功率器件(30)的栅极和源极;其中,所述负向ESD保护模块(110)包括第一电阻(111)、充电电容(112)、第一场效应管(113)和第二场效应管(114);所述第一电阻(111)的一端与所述P型GaN增强型功率器件(30)的栅极相连接,另一端分别连接所述第一场效应管(113)的栅极和所述充电电容(112)的一端;所述第一场效应管(113)的漏极与所述P型GaN增强型功率器件(200)的栅极相连接,源极与所述第二场效应管(114)的漏极相连接;所述第二场效应管(114)的栅极和源极连接所述P型GaN增强型功率器件(30)的源极;所述正向ESD保护模块(100)包括第四场效应管(101);所述第四场效应管(101)的栅极和漏极与P型GaN增强型功率器件(30)的栅极相连接,所述第四场效应管(101)的源极连接所述P型GaN增强型功率器件(30)的源极。
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