[发明专利]一种ESD保护电路

权利要求书

1.一种静电放电ESD保护电路，其特征在于，包括：负向ESD保护模块(110)和正向ESD保护模块(100)，所述正向ESD保护模块(100)和所述负向ESD保护模块(110)并联连接，所述正向ESD保护模块(100)和所述负向ESD保护模块(110)的两端分别连接P型GaN增强型功率器件(30)的栅极和源极；

其中，所述负向ESD保护模块(110)包括第一电阻(111)、充电电容(112)、第一场效应管(113)和第二场效应管(114)；所述第一电阻(111)的一端与所述P型GaN增强型功率器件(30)的栅极相连接，另一端分别连接所述第一场效应管(113)的栅极和所述充电电容(112)的一端；所述第一场效应管(113)的漏极与所述P型GaN增强型功率器件(200)的栅极相连接，源极与所述第二场效应管(114)的漏极相连接；所述第二场效应管(114)的栅极和源极连接所述P型GaN增强型功率器件(30)的源极；

所述正向ESD保护模块(100)包括第四场效应管(101)；所述第四场效应管(101)的栅极和漏极与P型GaN增强型功率器件(30)的栅极相连接，所述第四场效应管(101)的源极连接所述P型GaN增强型功率器件(30)的源极。

2.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述正向ESD保护模块(100)还设置有钳位二极管串(102)，所述钳位二极管串(102)的阳极与所述P型GaN增强型功率器件(30)的栅极相连接，所述钳位二极管串(102)的阴极连接所述P型GaN增强型功率器件(30)的源极。

3.根据权利要求2所述的ESD保护电路，其特征在于，所述钳位二极管串(102)的阴极与所述P型GaN增强型功率器件(30)之间还设置有第二电阻(103)和第五场效应管(104)；所述钳位二极管串(102)的的阴极分别连接所述第二电阻(103)的一端和所述第五场效应管(104)的栅极，所述第五场效应管(104)的漏极与所述第四场效应管(101)的源极相连接，所述第二电阻(103)的另一端和所述第五场效应管(104)的源极连接所述P型GaN增强型功率器件(30)的源极。

4.根据权利要求1-3任一项所述的ESD保护电路，其特征在于，当负向ESD时，所述第四场效应管(101)截止。

5.根据权利要求4所述的ESD保护电路，其特征在于，当负向ESD时，所述第一电阻(111)上产生电压，控制所述第一场效应管(113)导通。

6.根据权利要求5所述的ESD保护电路，其特征在于，当正向ESD时，第二场效应管(114)截止。

7.一种ESD保护电路，其特征在于，包括：正向ESD保护模块(200)和负向ESD保护模块(210)，其中：

所述负向ESD保护模块(210)包括第一电阻(111)、充电电容(112)和第一场效应管(113)，所述第一电阻(111)的一端分别与所述第一场效应管(113)的漏极和P型GaN增强型功率器件(30)的栅极相连接，另一端分别与所述第一场效应管(113)的栅极和充电电容(112)的一端相连接；所述充电电容(112)的另一端和所述第一场效应管(113)的源极连接所述P型GaN增强型功率器件(30)的源极；

所述正向ESD保护模块(200)包括第六场效应管(201)，所述第六场效应管(201)的源极连接所述P型GaN增强型功率器件(30)的源极，栅极和漏极均与所述第一场效应管(113)的漏极相连接；

所述第一电阻(111)与所述第一场效应管(113)之间还连接一第三场效应管(115)，所述第三场效应管(115)的栅极与所述第一电阻的一端相连接，源极与所述第一场效应管(113)的漏极相连接，漏极与P型GaN增强型功率器件(30)的栅极相连接。