[发明专利]紫外线受光元件和紫外线受光元件的制造方法

摘要

紫外线受光元件和紫外线受光元件的制造方法。紫外线受光元件具有：第1光电二极管，设于半导体衬底的第1区域，包含第1导电型的第1阱注入层、设于第1阱注入层内的第2导电型的第1嵌入注入层和设于第1嵌入注入层内的半导体衬底表面处的第1导电型的第1表面注入层，对于紫外线有敏感度；第2光电二极管，设于半导体衬底的第2区域，包含第1导电型的第2阱注入层、设于第2阱注入层内的第2导电型的第2嵌入注入层和设于第2嵌入注入层内的半导体衬底表面处的第1导电型的第2表面注入层，对于紫外线没有敏感度，第2阱注入层的峰值浓度位置比第1阱注入层的峰值浓度位置深与半导体衬底表面到第2表面注入层的峰值浓度位置的深度相等的深度。

主权项

1.一种紫外线受光元件，其特征在于，其具有：第1光电二极管，其配置于半导体衬底的第1区域，包含第1导电型的第1阱注入层、设置于所述第1阱注入层内的第2导电型的第1嵌入注入层、以及设置于所述第1嵌入注入层内的所述半导体衬底表面处的第1导电型的第1表面注入层，对于紫外线具有敏感度；以及第2光电二极管，其配置于所述半导体衬底的第2区域，包含第1导电型的第2阱注入层、设置于所述第2阱注入层内的第2导电型的第2嵌入注入层、以及设置于所述第2嵌入注入层内的所述半导体衬底表面处的第1导电型的第2表面注入层，对于紫外线不具有敏感度，所述第2阱注入层的峰值浓度位置比所述第1阱注入层的峰值浓度位置深与从所述半导体衬底表面到所述第2表面注入层的峰值浓度位置的深度相等的深度。